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第三代半導(dǎo)體迎來“大殺器”：應(yīng)用材料全新設(shè)備助力產(chǎn)能倍增 行業(yè)正處加速擴張期
第三代半導(dǎo)體迎來“大殺器”：應(yīng)用材料全新設(shè)備助力產(chǎn)能倍增 行業(yè)正處加速擴張期
來源:科創(chuàng)板日報
半導(dǎo)體設(shè)備龍頭應(yīng)用材料（AppliedMaterial）9日推出新產(chǎn)品MirraDurumCMP系統(tǒng)及VIISta9003D熱離子植入系統(tǒng)，幫助SiC（碳化硅）芯片生產(chǎn)從6寸晶圓升級至8寸晶圓，由此每片晶圓可用制造面積幾乎擴大一倍，產(chǎn)能近乎倍增。
據(jù)悉，CMP新系統(tǒng)集成拋光、材料去除測量、清潔和干燥，可精確移除晶圓上碳化矽材料，最大化芯片效能、可靠性和產(chǎn)能；而后者可在對晶格結(jié)構(gòu)破壞最小的情況下注入離子，進而最大化發(fā)電量和元件產(chǎn)能。
產(chǎn)能翻倍有多重要？眼下全球SiC晶圓年產(chǎn)能約在40-60萬片，遠不能滿足下游需求，供給端成為SiC關(guān)鍵制約因素之一，技術(shù)優(yōu)勢帶來的穩(wěn)定產(chǎn)能將是廠商的重要競爭力。
襯底便是與產(chǎn)能密切相關(guān)的一個部分。目前，化合物半導(dǎo)體大多是基于SiC襯底進行外延生長。6寸SiC晶圓襯底是全球主流，已實現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化，而8寸則是“努力的方向”，分析師指出，升級至8寸襯底至關(guān)重要，其有助于提高產(chǎn)線通用性、擴大產(chǎn)能、降本效應(yīng)有望顯現(xiàn)。
行業(yè)擴張加速群雄紛爭第三代半導(dǎo)體
“一直以來，芯片廠商都在攜手共進，打造SiC市場，但如今競爭的號角已經(jīng)吹響。”這是來自第三代半導(dǎo)體領(lǐng)跑者之一——羅姆的感嘆。
近年來，第三代半導(dǎo)體玩家名單越拉越長，這個領(lǐng)域儼然已成為產(chǎn)業(yè)端、投資界、各地政府的“寵兒”。
“老玩家”如羅姆率先擴產(chǎn)，近日已在日本福岡開工建新廠，力圖將產(chǎn)能提高5倍向上，更是放出豪言，要在2025年占據(jù)30%全球SiC芯片市場份額。除此之外，還有廠商試圖通過合作、吞并實現(xiàn)版圖擴張，例如Cree與意法半導(dǎo)體擴大SiC供應(yīng)協(xié)議，金額超過8億美元。
“新晉者”中，安森美以4.15億美元收購SiC廠商GTAT；聯(lián)電、鴻海則分別通過攜手封測廠、收購晶圓廠，切入第三代半導(dǎo)體。
除了半導(dǎo)體廠商的大動作之外，第三代半導(dǎo)體發(fā)展的另一大催化劑便是新能源汽車。龍頭特斯拉一馬當先，其Model3車型搭載了以24個SiC-MOSFET為功率模塊的逆變器；比亞迪、蔚來、吉利也緊隨其后開始布局。中泰證券認為，2021年汽車領(lǐng)域SiC有望進入放量元年。
再看回國內(nèi)，SiC逐漸掀起投資熱潮，更有望納入“十四五”，獲得政策加持。據(jù)8月24日工信部答復(fù)，碳化硅復(fù)合材料、碳基復(fù)合材料等將被納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關(guān)發(fā)展規(guī)劃。
另一方面，近3年來，SiC項目已落地17個省份，遍布全國各地的足跡與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)線分布截然不同；而政府投資項目達32個，計劃投資金額超過700億元。
具體到產(chǎn)業(yè)鏈廠商，國內(nèi)已涌現(xiàn)出一批后起之秀，發(fā)展迅速，其中：
三安光電第三代半導(dǎo)體襯底年產(chǎn)能規(guī)劃約3.6萬片；露笑科技預(yù)計，9月底SiC項目一期可小批量出貨；北方華創(chuàng)、華潤微、聞泰科技、揚杰科技等已相繼入局。
此外，SiC襯底廠商天岳先進科創(chuàng)板IPO已于9月9日成功過會；同光晶體10萬片SiC項目已于上周投產(chǎn)，公司還計劃一年內(nèi)科創(chuàng)板上市；天科合達也處于上市申報階段。
