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研究:新型超薄硅納米線可帶來更小、更快的微芯片

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研究:新型超薄硅納米線可帶來更小、更快的微芯片

來源:cnBeta.COM


       來自加利福尼亞州大學(xué)伯克利分校的科學(xué)家們已經(jīng)開發(fā)并展示了一種新型的超薄硅納米線,其散熱性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于目前使用的技術(shù)。這一發(fā)現(xiàn)可能會帶來更小、更快的微芯片,但制造可能是一個問題。
  
  現(xiàn)代電子產(chǎn)品中的硅是廉價、豐富和良好的電導(dǎo)體。然而它不是一個好的熱導(dǎo)體。而這個問題在裝有數(shù)十億個晶體管的微型芯片中只會被放大。
  
  正如伯克利實驗室所說的那樣,天然硅是由三種主要的同位素組成。大約92%由同位素硅-28組成,剩余的5%和3%分別為硅-29和硅-30。
  
  長期以來,人們一直認(rèn)為用純硅-28制成的芯片可以更好地導(dǎo)熱并可能生產(chǎn)出更快和更密集的電子產(chǎn)品。這在2000年代中期進(jìn)行了測試,但單晶樣品的導(dǎo)熱性能只提高了10%。簡單地說,為了這么小的收益而制造同位素純硅是不值得的,所以剩余的硅同位素材料被儲存在伯克利實驗室以備其他科學(xué)家有朝一日會用到它。
  
  幾年前,這種情況就出現(xiàn)了。
  
  伯克利的科學(xué)家們正在試圖想出改善芯片傳熱的方法,另外他們還想知道由純硅-28制成的納米線是否會有幫助。他們跟儲存材料的所有者取得聯(lián)系并獲得了足夠的測試材料。
  
  第一次測試涉及1毫米大小的散裝硅-28晶體,其結(jié)果反映了幾年前實現(xiàn)的10%的改進(jìn)。然后,該團(tuán)隊使用一種稱為無電解蝕刻的工藝來制作直徑僅為90納米(十億分之一米)的天然硅和硅-28納米線,或比一縷人類頭發(fā)薄約1000倍。???
  
  科學(xué)家們預(yù)計比以前的結(jié)果有增量,但他們震驚地看到,純納米線的導(dǎo)熱性竟然比天然硅納米線好150%。
  
  在電子顯微鏡下觀察發(fā)現(xiàn),研究人員在硅-28納米線的表面看到了一層玻璃狀的二氧化硅。計算模擬實驗進(jìn)一步指出,當(dāng)沒有硅-29和硅-30的情況下,聲子無法逃到表面,在那里它們會被減慢。
  
  聲子被描述為原子振動的波,它在硅中攜帶熱量。當(dāng)遇到具有不同原子質(zhì)量的硅-29或硅-30時,聲子會被混淆并減慢速度進(jìn)而阻礙熱傳遞。對于純硅-28來說,這不再是一個問題。
  
  研究負(fù)責(zé)人JunqiaoWu說道:“發(fā)現(xiàn)兩個獨(dú)立的聲子阻斷機(jī)制--表面跟同位素,以前被認(rèn)為是相互獨(dú)立的--現(xiàn)在協(xié)同工作,這使我們在熱傳導(dǎo)中受益,這非常令人驚訝,但也非常令人高興。”
  
  研究小組表示,他們的下一個目標(biāo)是確定他們是否能控制,而非簡單地測量純硅納米線的熱傳導(dǎo)。
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