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優(yōu)秀MOS:CMH50N20

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優(yōu)秀MOS:CMH50N20

>>CMH50N20詳情頁面

CMH50N20是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司(Cmos)先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)秀的RDS(ON),抗沖擊能力強(qiáng),廣泛應(yīng)用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動等電路中。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性,是市場非常認(rèn)可、優(yōu)秀的MOS元件。



卓越的電氣特性

CMH50N20的主要電氣特性包括: 

耐壓能力:CMH50N20的耐壓(BVDSS)為200V。

電流能力:在Tc=25℃條件下,其最大連續(xù)漏極電流(ID)是50A。



雪崩能量:CMH50N20采用(Cmos)先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)工藝,100%雪崩測試,單次雪崩能量EAS為1500mJ,有很強(qiáng)的抗沖擊能力。

低熱阻:CMH50N20采用TO-247封裝,具有優(yōu)秀的熱管理性能,其結(jié)到殼的熱阻(RθJC)為0.45℃/W。



低導(dǎo)通電阻:在柵極電壓(VGS)為10V時(shí),CMH50N20的導(dǎo)通電阻(RDS(on))最大只有48mΩ。低導(dǎo)通電阻能降低導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗,能提高整體電路的能效。



低開關(guān)損耗:低QG、結(jié)電容,使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能和低開關(guān)損耗。



適用范圍廣泛

CMH50N20優(yōu)秀的性能,使其可以非常好的應(yīng)用于多種電路,包括不限于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動等多種應(yīng)用。


通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝,Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMH50N20中,使其在電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。


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