物料推選CMSL107N20
物料推選CMSL107N20
前言
隨著材料科學的進步和半導體物理學科的突破，集成電路應用技術也得到長足發(fā)展。從體型碩大、功耗嚴重、效率低下轉向小型化、高效率發(fā)展，這個過程集成電路的設計理念在不斷更新迭代，逐步向綠色化、可持續(xù)性和生態(tài)友好型轉變。
分立半導體元器件作為組成現(xiàn)代電路重要的器件之一，具有廣泛的使用場景。尤其是，進入二十一世紀以來，隨著半導體封裝工藝的不斷突破和高精密設備被攻克，制造工藝和制造水平的雙向提升，很好地避開了“硅限”理論，使得MOSFET主要分立器件在提高集成性的基礎上性能呈指數(shù)級增加，進一步刺激了集成電路發(fā)展。
場效應半導體簡稱Cmos，是集研發(fā)、生產(chǎn)、制造及銷售于一體的綜合性半導體器件供應企業(yè)。持續(xù)的技術創(chuàng)新和孜孜不倦的質(zhì)量追求，使半導體器件具有技術先進、性能穩(wěn)定，品質(zhì)可靠，性價比高等特點，受眾用戶越來越來廣泛，并且逐步邁向高端市場。
TOLL功率級封裝是汽車電子，工業(yè)控制，航空航天等領域，具備穩(wěn)定性好，安全性高等特點，很好地滿足復雜、長時效工作環(huán)境。TOLL類封裝作為Cmos主要的封裝產(chǎn)品之一，在產(chǎn)品的穩(wěn)定性，散熱性以及性價比方面均具有優(yōu)勢，在高端消費類產(chǎn)品領域越來越得到用戶認可。
CMSL107N20是一款N型場效應功率管，采用Cmos先進的柵裂工藝研發(fā)，優(yōu)秀的高頻特性、低導通內(nèi)阻以及理想的散熱性使其具有非常廣泛的應用場景，成為汽車電子、醫(yī)療設備、通訊設備以及工業(yè)設備中主要的應用封裝形式之一。
一、封裝形式
下圖是CMSL107N20封裝形式和內(nèi)部拓撲結構圖，采用TOLL-8封裝形式。
二、基礎參數(shù)
1. 漏源電壓(VDS)：200V
2. 連續(xù)漏極電流（ID@Tc=25℃）：120A（需結合散熱條件）
3. 導通電阻RDS(on)：9mΩ（最大值）
4. 柵源閾值電壓VGS(th)：4.0V（最大值）
5. 結到殼的熱阻值RθJC：0.33℃/W
三、核心優(yōu)勢
CMSL107N20的顯著優(yōu)勢：
高功率，漏源電壓高達200V，連續(xù)漏極電流達到120A,具有非常高的功率通過能力。
散熱性，晶圓到外殼的熱阻值只有0.33℃/W,很好的滿足高功率條件下的散熱性。
高效率，飽和導通內(nèi)阻最大只有9mΩ，在高功率且高脈寬條件下工作時損耗更低。
四、應用推薦及關鍵設計
CMSL107N20有著上述諸多優(yōu)秀的特性，這些綜合優(yōu)勢使其在實際應用中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性，以下是推薦使用場景。
MOSFET在PFC電路中的應用分析
總結
CMSL107N20是一款安全性突出綜合性能強大的MOSFET,具有高效率，快恢復性，優(yōu)秀的靜電防護能力及高性價比等綜合優(yōu)勢。消費電子、工業(yè)控制、智能家居，汽車電子鄰域應用十分廣泛，在電源設備、醫(yī)療美容，高頻逆變器、具體到PFC電路、LLC等拓撲結構中適配性很高。
技術支持與資源獲取
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