CMP107N20是采用Cmos柵極多級分割優化溝槽工藝研發的N溝道金屬氧化物半導體場效應管，設計理念追求高能效、綠色和可持續發展。
CMD031N03L是采用Cmos自己優化的柵極被分割改進型溝槽工藝制造的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。
CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。
CMD065N04 Cmos為電源DC-DC模塊開發的一款物料，得益于Cmos對于半導體先進制造工藝的研究和創新，這款物料具有多項優秀的參數，整體性能卓越。
CMD130N85A是Cmos通過不斷優化柵極氧化層并多極分割柵極溝槽得到的后優化溝槽工藝制造而成，典型的特點是，具有更優秀的開關響應時效性，極低的RDSON,低FOM和更優秀的單元一致性。
