CMSA010N04是Cmos自己研發的柵極多層分割槽工藝制造的一款分離半導體器件。
CMD079N10是采用Cmos半導體成熟工藝開發的一款綜合性能優異的MOSFET,用在電源產品中的同步整流模塊效果十分理想。
CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先進的超結技術，提供優秀的RDS(ON)和極低門電荷。
CMP107N20是采用Cmos柵極多級分割優化溝槽工藝研發的N溝道金屬氧化物半導體場效應管，設計理念追求高能效、綠色和可持續發展。
CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。
