中國半導體產業探索之初，我們只是一窮二白，但是，經過了幾代人的不懈努力，我們已經建立起了初具規模的技術體系和逐步增強的產業實力。
近日，麻省理工研究團隊宣布，當前設計一款實用性非常強的硅基LED，它將采用正偏方法，相較于其他的硅基LED亮度提升10倍。本次研制的新款硅基LED采用了正偏方法，同時將LED中PN結的組合方式進行改變，成功將硅材料的光電能量轉換效率提高，進一步提升硅基LED的亮度，并降低了LED的制造成本。
9月23—25日，記者在廣州舉辦的“2021中國電子材料產業技術發展大會”上獲悉，隨著5G基站、手機快充以及新能源電動汽車等新興領域對半導體器件的功率、效率、散熱以及小型化提出更高要求，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體正得到廣泛應用，并加速進入黃金發展期。
當前，新一輪科技革命深入演進，數字時代撲面而來，全球主要國家在數字經濟領域展開激烈角逐。關鍵數字技術創新，中國已經取得了哪些優勢？在當前國際環境下，面臨哪些難題要“啃”？
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產業化階段，對新一代半導體材料的探討已經進入大眾視野。走向產業化的銻化物，以及國內外高度關注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導體。新一代半導體材料，將一路向寬，還是一路向窄？
