9月23—25日，記者在廣州舉辦的“2021中國電子材料產業技術發展大會”上獲悉，隨著5G基站、手機快充以及新能源電動汽車等新興領域對半導體器件的功率、效率、散熱以及小型化提出更高要求，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體正得到廣泛應用，并加速進入黃金發展期。
當前，新一輪科技革命深入演進，數字時代撲面而來，全球主要國家在數字經濟領域展開激烈角逐。關鍵數字技術創新，中國已經取得了哪些優勢？在當前國際環境下，面臨哪些難題要“啃”？
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體步入產業化階段，對新一代半導體材料的探討已經進入大眾視野。走向產業化的銻化物，以及國內外高度關注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導體。新一代半導體材料，將一路向寬，還是一路向窄？
新浪科技訊據報道，韓國三星電子是全世界最大的存儲芯片制造商，日前，三星電子研發團隊和美國哈佛大學共同發表了一篇研究論文，他們提出了一種新方法，準備在一個存儲芯片上“反向工程”（復制）人類的大腦。
從智能手機、電視到風力渦輪機，硅芯片的需求正在蓬勃發展，但它也付出了巨大的代價：巨大的碳足跡。該行業呈現出一個悖論。實現全球氣候目標在某種程度上要依靠半導體。它們是電動汽車、太陽能電池陣列和風力渦輪機的組成部分。
