CMD30N10是采用Cmos溝槽工藝封測的一款N溝道增強型場效應晶體管。特點是,具有更低的閘間電容,擁有更優秀的開關特性,滿足超高頻率開關切換電路的應用。
CMSC1653是一款采用場效應半導體先進溝槽工藝開發的N溝道型MOSFET產品,其最大特點是具有卓越的優值系數(FOM)。
CMP073N15集合了低導通電阻、高耐壓、低開關損耗 等多項特點,成為各種高效能電源系統和高功率應用的理想選擇。
逆變設備在電力工程和電子設備中有著廣泛的應用基礎,從大至千伏級別的超高壓大型電力工程設備,到小至百伏小型開關電源中都會用到逆變設備或者逆變系統。
CMH50N20是采用廣東場效應半導體有限公司(Cmos)先進的平面條紋DMOS技術和設計,提供優秀的RDS(ON),抗沖擊能力強,廣泛應用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機驅動等電路中。